英飞凌最新一代高功率密度IGBT单管在焊机中的应用

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2018-10-06

英飞凌在2018年上半年推出了基于IGBT6技术的1200V单管IGBT,1200VTRENCHSTOPIGBT6发布了2个产品系列:优化导通损耗-S6系列和优化开关损耗-H6系列。

1200VTRENCHSTOPIGBT6S6系列集电极-发射极饱和电压VCE(sat),导通损耗低,并且拥有与HighSpeed3H3系列相同的低开关损耗。 1200VTRENCHSTOPIGBT6H6则进一步优化开关损耗,相比于上一代HighSpeed3H3系列,总开关损耗降低约15%。

英飞凌推出的超薄晶圆TRENCHSTOP5IGBT技术可进一步缩小芯片尺寸、提高功率密度。 英飞凌率先将40A650VIGBT和40A二极管封装在D2PAK,相比于其他竞争对手30A双芯片IGBT产品,其额定电流值提高了25%。

对于这两款最新产品,英飞凌分别做了2个手提式焊机的样机供大家参考,本次Webinar向大家详细介绍了如何用这两种高功率密度的单管IGBT设计高效,高功率密度,轻便以及低成本的手提式焊机产品。 嘉宾介绍。